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部分材料性质

2018-01-17 10:22:31 点击数:

半导体与绝缘体

 

 
Si
GaAs
Ge
αSiC
SiO2
Si3N4
密度(g/cm3)
2.33
5.32
5.32
3.21
2.2
3.1
击穿场强(MV/cm)
0.3
0.5
0.1
2.3
10
10
介电常数
11.7
12.9
16.2
6.52
3.9
7.5
禁带宽度(eV)
1.12
1.42
0.66
2.86
9
5
电子亲和能(eV)
4.05
4.07
4
 
0.9
 
折射率
3.42
3.3
3.98
2.55
1.46
2.05
熔点(℃)
1412
1240
937
2830
~1700
~1900
比热容(J/(g•℃))
0.7
0.35
0.31
 
1
 
热导率(W/(cm•℃))
1.31
0.46
0.6
 
0.014
 
热扩散系数(cm2/s)
0.9
0.44
0.36
 
0.006
 
热膨胀系数(*10-6)
2.6
6.86
2.2
2.9
0.5
2.7

金属

 

 
Al
Cu
Au
TiSi2
PtSi
密度(g/cm3)
2.7
8.89
19.3
4.043
12.394
电阻率(μΩ•cm)
2.82
1.72
2.44
14
30
温度系统
0.0039
0.0039
0.0034
4.63
 
对n-si的热量(eV)
0.55
0.60
0.75
0.60
0.85
热导率(W/(cm•℃))
2.37
3.98
3.15
 
 
熔点(℃)
659
1083
1063
1540
1229
比热容(J/(g•℃))
0.90
0.39
0.13
 
 
热膨胀系数(*10-6)
25
16.6
14.2
12.5