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高真空磁控溅射镀膜设备JCP200

设备型号: JCP200
真空腔室结构: 立式上开盖结构
真空腔室尺寸: Φ220mm×H300mm
加热温度: 室温~ 500℃
基片台尺寸: Φ100mm
膜厚不均匀性: Φ50mm 范围内≤ ±5.0%
溅射靶: Φ2 英寸磁控靶 1 支 兼容 DC/RF 溅射
工艺气体 :1-2 路气体流量控制
控制方式 :PLC + 触摸屏控制
占地面积 (主机) :L600mm×W800mm×H1700mm
总功率 :≥ 6kW
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适用范围.jpg


大专院校、科研院所及企业进行薄膜新材料的科研与小批量制备


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1. 可提供工艺技术支持,及良好售后服务;

2. 设备结构紧凑,占地面积小,性价比高,性能稳定,使用维护成本低;

3. 单靶溅射 / 多靶依次溅射或共同溅射,兼容 DC/MF/RF 溅射等功能 。

4. 可制备单层及多层金属膜、介质膜、半导体膜、耐热合金膜、硬质膜、耐腐蚀摸、透明导电膜,如钙钛矿空穴传输层、金属电极以及透明导电层ITO膜层的制备等