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高真空磁控溅射镀膜设备JCP500

设备型号 :JCP500
真空腔室结构 :立式前开门结构 后置抽气系统
真空腔室尺寸 :Φ500mm×H420mm
加热温度 :室温~ 500℃
基片台尺寸 :Φ150mm
膜厚不均匀性 :Φ100mm 范围内≤ ±5.0%
溅射靶: Φ3 英寸磁控靶 3 支 兼容 DC/MF/RF 溅射
工艺气体 :2-3 路气体流量控制
控制方式 :PLC/PC(可选)
占地面积 (主机) : L1900mm×W800mm×H1900mm
总功率 :≥ 10kW
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大专院校、科研院所及企业进行薄膜新材料的科研与小批量制备


特点用途.jpg


1. 可提供工艺技术支持,及良好售后服务;

2. 设备结构紧凑,占地面积小,性价比高,性能稳定,使用维护成本低;

3. 单靶溅射 / 多靶依次溅射或共同溅射,兼容 DC/MF/RF 溅射等功能 。

4. 可制备单层及多层金属膜、介质膜、半导体膜、耐热合金膜、硬质膜、耐腐蚀摸、透明导电膜,如钙钛矿空穴传输层、金属电极以及透明导电层ITO膜层的制备等”;