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高真空磁控溅射镀膜设备JCP600

高真空磁控溅射镀膜设备JCP600

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设备型号 :JCP600
真空系统:真空极限达到6.0×10-6 Pa(设备空载,抽真空24小时);
设备升压率≤0.8Pa/h(12小时平均值);
从大气抽至5.0×10-3Pa≤15min;
从大气抽至5.0×10-4Pa≤40min(设备空载);
真空腔室结构 :立式前开门结构 后置抽气系统
真空腔室尺寸 :Φ600mm×H420mm
加热温度 :室温~ 500℃
基片台尺寸 :Φ150mm
旋转转速0-20转/分钟,可调可控;基片台与腔室绝缘设计,可加偏压电源
膜厚不均匀性 :Φ100mm 范围内≤ ±5.0%
溅射靶: Φ2英寸或Φ3英寸磁控靶3-4 支,兼容 DC/MF/RF 溅射
工艺气体 :2-3 路气体流量控制
控制方式 :PAC/PLC/PC(可选)
占地面积 (主机) : L1900mm×W800mm×H1900mm
总功率 :≥ 10kW
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产品详情视频展示

适用范围.jpg


大专院校、科研院所及企业进行薄膜新材料的科研与小批量制备


特点用途.jpg


1. 可提供工艺技术支持,及良好售后服务;

2. 设备结构紧凑,占地面积小,性价比高,性能稳定,使用维护成本低;

3. 单靶溅射 / 多靶依次溅射或共同溅射,兼容 DC/MF/RF 溅射等功能 。

4. 可制备单层及多层金属膜、介质膜、半导体膜、耐热合金膜、硬质膜、耐腐蚀摸、透明导电膜,如钙钛矿空穴传输层、金属电极以及透明导电层ITO膜层的制备等”;